上一篇讲了 HBM 是什么，这一篇看牌桌上坐着谁。先上最新战况（2026 年二季度，按出货份额的机构估算）：
| 厂商 | 份额（约） | 位置 |
|---|---|---|
| SK海力士 | 62% | 绝对霸主，英伟达最大供应商 |
| 美光 | 21% | 三年前只有 2%，已反超三星 |
| 三星 | 17% | 存储大盘的老大，HBM 的老三 |
这张表本身就是半导体行业近年最戏剧性的故事：DRAM 整体市场的老大三星，在最赚钱的 HBM 细分里排老三。拆开讲讲为什么。
SK海力士：赌对了冷门赛道的万年老二
十年前 HBM 还是个叫好不叫座的冷门技术（第 1 篇讲过 HBM1 的尴尬），三星一度收缩投入，而常年活在三星阴影里的海力士选择了重仓押注——逻辑不复杂：老二在主流战场打不赢老大，只能在还没人重视的新战场提前占位。
赌注在 2023 年大模型爆发时兑现。海力士的先发优势体现在三层：
- 代际领先：HBM3、HBM3E 都是它率先量产并独供或主供英伟达旗舰芯片，每一代领先对手两三个季度——在合同锁价、产能排满的市场里（美光那篇讲过），先拿到认证就先锁定利润；
- 工艺路线的护城河：海力士的堆叠封装工艺（业内叫 MR-MUF 路线）在散热和良率上被验证得最充分，而良率就是 HBM 的成本和交付能力；
- 客户绑定：作为英伟达最大 HBM 供应商深度协同开发,下一代产品的规格话语权也更大。到 HBM4 时代,英伟达的份额分配依然是海力士拿走一半以上。
2025 年它的 HBM 收入份额一度超过 63%,并在存储超级周期里市值暴涨——SK海力士计划赴美发行存托凭证募资扩产的新闻,你在美光那篇里已经见过了。
美光：三年从 2% 到 21% 的追赶者
美光是这轮周期里进步最快的玩家：2023 年 HBM 份额只有 2%，属于"忽略不计"；2026 年约 21%，反超三星坐上第二把交椅。它做对了两件事：
- 跳代打法：放弃在 HBM2E 上纠缠，集中资源直攻 HBM3E，用更先进的 DRAM 制程（1β）做出了功耗更低的产品——在数据中心电费成为大问题的今天（资本开支那篇讲过电力瓶颈），"省电"是真实的采购加分项；
- 吃到分散采购红利：英伟达和各大云厂商不愿被单一供应商卡脖子，主动扶持第二、第三供应源——追赶者只要产品过关，就能拿到超出体量的订单。
美光的故事对投资者的意义在于：HBM 的竞争格局没有固化，代际切换（HBM3E→HBM4）就是排位赛重新洗牌的窗口。
三星：大象为什么起舞慢了
三星的困境是典型的"创新者窘境"：它在传统 DRAM 和 NAND 的体量太大、太赚钱,对 HBM 这种"高定制、重服务"的产品反应迟缓;技术路线上选择的堆叠工艺（TC-NCF 路线）在 HBM3E 世代的散热与良率爬坡上吃了亏,给英伟达的认证一再延后——错过认证窗口,就错过整整一代的锁价合同。
但别急着写它的悼词：三星的 DRAM 产能全球最大、垂直整合能力最强（自家有代工厂），机构普遍预期它在 HBM4 世代随着认证通过会收复部分失地——英伟达的 HBM4 份额分配里，三星拿到了约四分之一。老三的反扑，是未来两年这个行业最大的变数之一。
隐形玩家：握着另一半命门的台积电
第 1 篇埋的伏笔在这里揭开：HBM 要和 GPU 焊在同一块硅中介层上才能工作，这道先进封装（台积电 CoWoS 为代表）的产能，过去两年一直和 HBM 本身一样紧缺——HBM 产能和封装产能，谁短谁就是瓶颈。
到了 HBM4 世代，台积电的角色更进一步：HBM 堆叠底部的"基础裸片"开始改用逻辑工艺制造，主要交给台积电代工。这意味着内存三强的竞争，部分变成了"谁和台积电协同得更好"的竞争——纯内存厂商的边界正在被打破，这也是陈立武把"先进封装"列为下一阶段技术押注方向的背景。
金豆划重点
- 格局：海力士约 62% 的霸主（先发+良率+英伟达绑定），美光 21% 的追赶者（跳代+低功耗+分散采购红利），三星 17% 的老三（认证失手但产能雄厚）；
- HBM 的竞争本质是良率和认证窗口的竞争：先通过大客户认证就先锁定一代的利润；
- 代际切换是洗牌窗口：HBM4 世代看两件事——三星能否收复失地、美光能否守住第二；
- 别忘了台积电：先进封装是 HBM 的另一半命门，HBM4 起三强都要和它深度绑定。
下一篇把镜头转向中国：国产 HBM 走到哪一步了——长鑫存储的实际进展、和三强的真实差距，以及华为体系的需求牵引。
内容参考：TrendForce、Silicon Analysts HBM 份额数据、SK hynix 招股文件等公开资料整理。本文不构成任何投资建议，市场有风险，入市需谨慎。
— 金豆
